มอสเฟตมาจากคำว่า Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor เป็นเฟตที่ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำซึ่งได้รับ
การเคลือบผิวบางส่วนด้วยโลหะออกไซด์ข้อเด่นของเฟตชนิดนี้คือ มีค่าความต้านทานอินพุต
(หมายถึงค่าความต่านทานที่เกต ) สูงมาก
มอสเฟตมาจากคำว่า Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor เป็นเฟตที่ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำซึ่งได้รับ
การเคลือบผิวบางส่วนด้วยโลหะออกไซด์ข้อเด่นของเฟตชนิดนี้คือ มีค่าความต้านทานอินพุต
(หมายถึงค่าความต่านทานที่เกต ) สูงมาก
รูปแสดงวงจรสัมมูลย์ของ MOSFET
ข้อแตกต่างระหว่างเจเฟตกับมอสเฟตในเรื่องของโครงสร้างคือ ที่ขั้วต่อขาเกตของมอสเฟตจะมีฉนวนกั้นกลาง ดังนั้นขาเกต จึงไม่ถูกต่อเข้าโดยตรงกับชิ้นสารกึ่งตัวนำ สำหรับฉนวนกั้นกลางให้สารซิลิกอนออกไซด์
มอสเฟตยังแบ่งเป็น 2 แบบ คือ
แบบดีพลีชั่น (depletion)
และแบบเอนฮานซ์เมนต์ (enhancement)
การทำงานของมอสเฟตแบบดีพลีชั่น พิจราณาจากรูป ให้ขาเกตมีแรงดันเป็นลบ เมื่อเทียบกับขาซอร์สจะทำให้มีประจุลบเกิดขึ้น
ที่ขาเกต และเกิดประจุบวกปรากฏขึ้นทางด้านที่ติดฉนวนซิลิกอนออกไซด์ ส่งผลให้เนื้อสารเอ็นที่มีอยู่น้อยมีขนาดลดลง
ทำให้ช่องว่างระหว่าง ขาเดรนและซอร์สมากขึ้น กระแสก็จะไหลได้น้อยลง ลักษณะการทำงานเช่นนี้จะเหมือนกับการทำงานของเจเฟต
รูป แสดงโครงสร้างของมอสเฟตแบบ Depletion
รูป แสดงสัญลักษณ์ของมอสเฟตแบบ Depletion
กราฟลักษณะสมบัติของ D-MOSFET N-CHANNEL
กราฟลักษณะสมบัติของ E-MOSFET N-CHANNEL
มอสเฟตแบบเอนฮานซ์เมนต์ (enhancement)
การทำงานของมอสเฟตแบบเอนฮานซ์เมนต์ พิจราณาจากรูป เนื่องจากระหว่างสารเอ็นที่ขาเดรนและซอร์สเป็นสารพี ซึ่งแตกต่าง จากมอสเฟตแบบดีพลีชั่น ทำให้เมื่อป้องแรงดันบวกเข้าที่ขาเกต จะเกิดประจุลบขึ้นทำให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่จากสารเอ็นที่ขาซอร์สมายังเครนได้ จึงทำให้มอสเฟตทำงานได้ ดังนั้นมอสเฟตแบบนี้จะทำงานได้ต้องป้องแรงดันที่ขาเกตเป็นแรงดันบวกเท่านั้น และแรงระหว่างขาเกตและซอร์ส (Vgs) ที่ป้อนให้นี้ต้องมีค่ามากกว่า Vgs (th) (Gate Source thresshold voltage)
รูป แสดงโครงสร้างของมอสเฟตแบบ Enhancement
รูป แสดงสัญลักษณ์ของมอสเฟส แบบ Enhancement
กราฟลักษณะสมบัติของ E-MOSFET P-CHANNEL
คุณลักษณะการถ่ายโอนของ E-MOSFET P-CHANNEL
