เฟตย่อมาจากคำว่า Field Effect Transistor เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอีกตัวหนึ่งที่มีประโยชน์และมีการนำมาใช้งานกันมาก เฟตเป็นทราน ซิสเตอร์แบบหนึ่ง ทรานซิสเตอร์ปกติจะมีข้อด้อยในด้านอินพุทอิมพีแดนซ์ที่ค่อนข้างต่ำ ดั้งนั้นถ้าหากนำมาใช้ในวงจร ที่ต้องการอินพุทอิมพีแดนซ์สูง ๆ จะต้องออกแบบวงจรค่อนข้างซับซ้อน แต่ปัญหานี้จะหมดไปถ้าหากใช้เฟตแทนทรานซิสเตอร์ เนื่องจากว่าเฟตมีอินพุทอิมพีแดนซ์ที่สูงมาก ทรานซิสเตอร์ธรรมดามักจะทำงานด้วยกระแสไฟฟ้า แต่สำหรับเฟตแล้วจะใช้สนามไฟฟ้าควบคุมการทำงานจึงได้ ชื่อว่า Field effect transistor ซึ่งมีด้วยกัน 2 แบบคือ แบบพีและเอ็นแชนแนล เฟตมีด้วยกัน 2 ชนิดคือ เจเฟต (JFET) และมอสเฟต (MOSFET) โดยจะแตกต่างกันที่ลักษณะของโครงสร้าง

เจเฟต (JFET)


         เจเฟต (JFET) ย่อมาจากคำว่า Junction Field Effect Transistor ลักษณะโครงสร้าง สัญลักษณ์ แสดงดังรูป เฟตจะประกอบด้วยชั้นสารซิลิกอน N ซึ่งได้รับการแพร่ลงบนรอยต่อของชิ้นสารพีและเอ็นเฟตมีขาต่อใช้งาน 3 ขา คือ ขาเกต (gate) เดรน (drain) และซอร์ส (source) ระหว่างขาเดรนกับซอร์สจะได้รับไบแอสตรง ดังนั้นกระแสจะไหลจากขาเดรนไปยังขาซอร์ส

โครงสร้างของ JFET N - Chanal

 

สัญญลักษณ์(a) N- Channal (b) P- Channal

 

การไบแอสของ JFET

 

รูปแสดงการไบแอสของ JFET


ความสามารถในการนำกระแสของเฟตจะขึ้นอยู่กับแรงดันที่ ขาเกต ถ้าหากแรงดันที่เกตเป็นลบมากกระแสก็จะไหลน้อย และถ้า หากแรงดันที่ขาเกตเป็นลบถึงค่าหนึ่ง ก็จะทำให้ไม่มีกระแสเดรนไหลเลย แรงดันเกตที่ค่านั้นจะเรียกว่า แรงดันพิตช์ออฟ (pitch off voltage ) โดยปกติมีค่าประมาณ -5 โวลต์

การฟลักษณะสมบัติของJFET
N- Channal

 


การฟลักษณะสมบัติของJFET
P- Channal

คุณลักษณะการถ่ายโอนของ JFET N-CHANNEL

 

การถ่ายโอนเป็นคุณลักษณะของ ID กับVGS ดังรูป โดยเริ่มต้นจากการกำหนดค่า VGS = 0 V ทำให้ได้ ID =IDSS และกำหนด VGS =VPทำให้ได้ ID = 0 mA
การเขียนเคอร์ฟการถ่ายโอนทำได้โดยการลากเส้นแนวนอนจาก VGS =-1V, -2V และ -3V ไปยังแกน ID แล้วขยายไปสู่อีกแกนหนึ่ง